固體接觸雙實(shí)電解質(zhì)電極檢出限低 摘要
基于受體的固體接觸電極很長(cháng)一段時(shí)間困擾的主要問(wèn)題是正確穩定對面的受體摻雜膜和金屬的接觸界面電位降的困難。解決這一問(wèn)題最有前途的氧化還原活性的聚吡咯層或氧化還原活性的自組裝單分子膜涂層的金屬接觸[1,2]。然而,在上述兩種情況下,無(wú)論傳統的受體摻雜膜有明顯低于微摩爾水平的檢測限。
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功率計為了提高這些檢測限,我們制作膜含有Ag +的受體,H +的受體,親脂性陽(yáng)離子交換樹(shù)脂作為四苯硼。正如預期的那樣,這些膜中的銀離子與H +的情況下加載。
作為一個(gè)重大的好處,這些膜中的銀離子的情況下,防止低水平從傳感膜銀離子浸出樣品的污染。作為活動(dòng)的樣本中增加銀,銀離子H +交換發(fā)生過(guò)的銀離子的活性相對狹窄的范圍,導致在跳達300 mV的
傳感器響應。到目前為止,我們觀(guān)察這些
傳感器的最低檢測限是在次納摩爾范圍。